Vollbrücke mit Highside P-Kanal-MOSFET und Treiberstufe

Damit ein P-MOS leitend wird, muss ähnlich wie auch beim N-MOS eine Spannungsdifferenz zwischen Source und Drain erzeugt werden. Da jedoch beim P-MOS Source und Drain vertauscht sind, ist es ausreichend die Gate-Spannung hinreichend unter die positive Versorgungsspannung zu drücken. Ein Treiber der diese Funktion erfüllt, kann leicht durch einen schaltbaren Spannungsteiler wie gezeigt realisiert werden. Nachteil dieser Topologie: P-MOS haben im Vergleich zu N-MOS eingeschalteten Zustand einen höheren Innenwiderstand zwischen Source und Drain. Das macht sie für Konfigurationen unattraktiv, bei denen trotz hoher Schaltfrequenzen recht hohe Anforderungen an Effizienz gestellt werden. Für den hier vorliegenden Einsatzzweck als Motortreiber ist diese Einschränkung nur wenig relevant, da die erwartete Schaltfrequenz sehr niedrig ist und damit auch Schaltverluste vernachlässigbar klein werden.

published 1 year ago