автоматическая температурная компенсация - достоинство этой схемы, если транзисторы на одном кристалле кремния.
Ток коллектора левого транзистора = Uпит-Uземли-0,7 В ~= 20 В / 20 кОм = 1мА.
Переход база эмиттер дает падение напряжения примерно 0,7 В, точная величина зависит от протекающего тока, в нашем случае 1 мА. Это же напряжение передаем на базу второго транзистора и он порождает такой же ток.
Т.е. ток покоя 1 мА создает на правом транзисторе такое смещение, которое порождает тот же ток покоя.
Напряжение на коллекторе правого транзистора Uк = Uпит - 1 мА * Rк и должно быть 0,5 * Uпит, т.е. 10 Вольт. Отсюда находим Rк = 10 кОм. При этом симметричный сигнал на коллекторе может иметь размах +-10 Вольт.
Изменение температуры на влияет на работу схемы, т.к. оба транзистора находятся в одинаковых температурных условиях. Это достоинство монолитных, сдвоенных транзисторов.
