В интегральных схемах, содержащих электрически не зависимые транзисторы, с помощью обратного смещения перехода эмиттер база можно использовать один из транзисторов в качестве источника опорного напряжения ( приблизительно 6.5 В, дрейф 2.5 мВ/°С). Дрейф может быть значительно уменьшен, если последовательно включить прямосмещённый переход эмиттер база второго транзистора, нижний вариант.
In integrated circuits containing electrically independent transistors, one of the transistors can be used as the reference voltage source (approximately 6.5 V, drift 2.5 mV / ° C) by means of a reverse bias of the emitter base transition. The drift can be significantly reduced by sequentially switching on the direct shifted emitter of the base of the second transistor, the lower one.
